温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HT03N270S
1个N沟道 耐压:30V 电流:8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：VDS = 30V。 ID = 8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 15mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HT03N270S
- 商品编号
- C49066898
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 784pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 109.4pF |
商品概述
3011A是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V
- 漏极电流(ID) = 8 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 15 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 25 mΩ
- 高功率和高电流处理能力
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理