温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HT06P460S
1个P沟道 耐压:60V 电流:8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：VDS = -60V。 I₀ = -8A。 RDS(on)@VGS = -10V < 46mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 52mΩ。 高功率和电流处理能力。 用于超低Rdson的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HT06P460S
- 商品编号
- C49066909
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
GT045N10Q采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可广泛应用于各类场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -60 V
- 漏极电流(ID) = -8 A
- 栅源电压(VGS)为 -10 V 时,导通电阻(RDS(on))< 46 mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -4.5 V 时,导通电阻(RDS(on))< 52 mΩ
- 高功率和高电流处理能力
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 出色的封装,具备良好的散热性能
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理