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HD510N075S
N沟道MOSFET
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD510N075S
- 商品编号
- C49066913
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 94A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V
- 漏极电流（ID） = 94 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(on)） < 7.5 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 9.5 mΩ
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻（Rdson）
- 电压控制小信号开关
- 开关速度快
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理