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HD503N080S
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 特性：漏源电压（VDS）：30V。 漏极电流（ID）：50A。 栅源电压为10V时，漏源导通电阻（RDS(on)）< 8mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 快速开关速度。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD503N080S
- 商品编号
- C49066912
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.014nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V
- 漏极电流（ID） = 50 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(on)） < 8 mΩ
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理
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