温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HT10N2H8S
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：VDS = 100V。 ID = 3A。 RDS(on)@VGS = 10V < 200mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HT10N2H8S
- 商品编号
- C49066911
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60 V
- 漏极电流（ID） = -4.3 A
- 栅源电压（VGS） = -10 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 130 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 190 mΩ
- 高功率和大电流处理能力
- 采用高密度单元设计，实现极低导通电阻
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理
相似推荐
其他推荐