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HT10P3H1S
1个P沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- 特性：VDS = -100V。 I0 = -3.0A。 RDS(on)@VGS = -10V < 210mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 280mΩ。 高功率和电流处理能力。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：DC/DC转换器。 电源开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HT10P3H1S
- 商品编号
- C49066910
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V；200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
4446A是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 该器件适用于作为负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用中的脉宽调制（PWM）和栅极充电。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -100 V
- 漏极电流(ID) = -3.0 A
- 栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 210 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 280 mΩ
- 高功率和大电流处理能力
- 采用高密度单元设计,实现极低的导通电阻(Rdson)
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 直流-直流(DC/DC)转换器
- 电源开关
- 电源管理
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