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HT06P1H7S
1个P沟道 耐压:60V 电流:2A
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- 描述
- 特性：VDS = -60V。 ID = -2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 170mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HT06P1H7S
- 商品编号
- C49066904
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 92mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -60 V
- 漏极电流(ID) = -2 A
- 栅源电压(VGS) = -10 V时,漏源导通电阻(RDS(on)) < 170 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V时,漏源导通电阻(RDS(on)) < 220 mΩ
- 高功率和大电流处理能力
- 采用高密度单元设计,实现极低的导通电阻(Rdson)
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理