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HT06P1H3S
1个P沟道 耐压:60V 电流:4.3A
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- 描述
- 特性：VDS = -60V。 I0 = -4.3A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 130mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 190mΩ。 高功率和电流处理能力。 高密度单元设计，超低Rdson。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HT06P1H3S
- 商品编号
- C49066908
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V；125mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60 V
- 漏极电流（ID） = -5 A
- 栅源电压（VGS） = -10 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 90 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 110 mΩ
- 高功率和大电流处理能力
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理