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HT10N1H2S
1个N沟道 耐压:100V 电流:4A
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- 描述
- 特性：VDS = 100V。 ID = 4A。 RDS(on)@VGS = 10V < 105mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 125mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HT10N1H2S
- 商品编号
- C49066906
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V；90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V
- 漏极电流（ID） = -6 A
- 栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(on)） < 48 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 80 mΩ
- 高功率和高电流处理能力
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理