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HT04N200S
1个N沟道 耐压:40V 电流:9A
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- 描述
- 特性：VDS = 40V。ID = 9A。RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HT04N200S
- 商品编号
- C49066901
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V；13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 111pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 121pF |
商品特性
- 快速开关速度
- 高输入阻抗和低电平驱动
- 经过雪崩能量测试
- 提升的 dv/dt 能力，高耐用性
应用领域
- 高效率开关电源
- 功率因数校正
- 电子镇流器