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IPW90R120C3实物图
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IPW90R120C3

1个N沟道 耐压:900V 电流:36A

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描述
特性:最低品质因数 Rₒₙ × Q₉。 极高的 dv/dt 额定值。 高峰值电流能力。 针对目标应用通过 JEDEC 认证。 无铅引脚镀层,符合 RoHS 标准。 TO247 封装中具备全球最佳的 RDSₒₙ。应用:准谐振反激/正激拓扑。 PC 银盒和消费类应用
商品型号
IPW90R120C3
商品编号
C499443
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
8.133克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V,26A
耗散功率(Pd)417W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)270nC@10V
输入电容(Ciss)6.8nF@100V
反向传输电容(Crss)330pF@100V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF