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IPW90R120C3
1个N沟道 耐压:900V 电流:36A
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- 描述
- 特性：最低品质因数 Rₒₙ × Q₉。 极高的 dv/dt 额定值。 高峰值电流能力。 针对目标应用通过 JEDEC 认证。 无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。 TO247 封装中具备全球最佳的 RDSₒₙ。应用：准谐振反激/正激拓扑。 PC 银盒和消费类应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW90R120C3
- 商品编号
- C499443
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 417W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 270nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UTC 1N60是一款高压MOSFET，设计具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC-DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
商品特性
- 最低品质因数 RON x Qg
- 具备极高的 dv/dt 额定值
- 高脉冲电流能力
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 引脚无铅电镀;符合 RoHS 标准
- TO247 封装中全球最佳的 RDS, on
- 超低栅极电荷
应用领域
-准谐振反激/正激拓扑-电脑银盒及消费类应用-工业开关电源