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2KJ7102DFN
双P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = -20V。 ID = -30A。 RDS(ON) ≤ 20mΩ @VGS = -10V。 优化栅极电荷以最小化开关损耗
- 品牌名称
- KEXIN(科信)
- 商品型号
- 2KJ7102DFN
- 商品编号
- C499624
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.275nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 161pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V，漏极电流（ID） = -30A
- 当栅源电压（VGS） = -10V 时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 20mΩ
- 优化栅极电荷以最小化开关损耗
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