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IPD25N06S4L-30实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD25N06S4L-30

1个N沟道 耐压:60V

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描述
N沟道 60V 25A
商品型号
IPD25N06S4L-30
商品编号
C499459
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.534克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))23mΩ@10V,25A
耗散功率(Pd)29W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.5nC@10V
输入电容(Ciss)935pF
反向传输电容(Crss)13pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)265pF

商品特性

  • N沟道 - 增强型
  • 通过AEC Q101认证
  • 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1等级
  • 工作温度可达175°C
  • 绿色产品(符合RoHS标准)
  • 100%雪崩测试

数据手册PDF