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STB12NM50T4
1个N沟道 耐压:550V 电流:12A
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- 描述
- MDmesh™是一种全新的革命性MOSFET技术，它将多漏极工艺与公司的PowerMESH™横向布局相结合。由此生产的产品具有极低的导通电阻、极高的dv/dt以及出色的雪崩特性。采用公司专有的条形技术后，其整体动态性能明显优于同类竞品
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB12NM50T4
- 商品编号
- C495231
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.951克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
MDmesh是一种全新的革命性MOSFET技术，它将多漏极工艺与PowerMESH横向布局相结合。由此生产的产品具有极低的导通电阻、极高的dv/dt和出色的雪崩特性。采用专有条形技术后，整体动态性能明显优于同类竞品。
商品特性
- 高dv/dt和雪崩能力
- 低输入电容和栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 低栅极输入电阻
- 严格的工艺控制和高生产良率
应用领域
- 开关应用
- TO - 220
- D2PAK
- TO - 220FP
- I2PAK