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STD5NM50T4
N沟道500V MOSFET
- 描述
- MDmesh是一种新的革命性MOSFET技术，它将多漏极工艺与PowerMESH水平布局相结合。由此产生的产品具有出色的低导通电阻、极高的dv/dt和优异的雪崩特性。采用专有的条形技术，其整体动态性能明显优于类似的竞争产品。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD5NM50T4
- 商品编号
- C495238
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.524克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品概述
MDmesh™ 是一种全新的革命性 MOSFET 技术，它将多漏极工艺与 PowerMESH™ 横向布局相结合。由此产生的产品具有出色的低导通电阻、令人印象深刻的高 dv/dt 以及优异的雪崩特性。采用专有的条形技术，使得整体动态性能明显优于同类竞争产品。
商品特性
- 典型 RDS(on) = 0.7 Ω
- 高 dv/dt 和雪崩能力
- 100% 雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 严格的工艺控制和高制造良率
应用领域
MDmesh™ 系列非常适合提高高压转换器的功率密度，实现系统小型化并提高效率。