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STP40NF10
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
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- 描述
- 这款 N 沟道 100 V 功率 MOSFET 是基于独特“单一特征尺寸”条形工艺的最新成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，使得制造过程具有卓越的可重复性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP40NF10
- 商品编号
- C495254
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 83.7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款 N 沟道 100 V 功率 MOSFET 是意法半导体（STMicroelectronics）独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新成果。由此产生的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，并且关键对准步骤更少，从而具有出色的制造重复性。
商品特性
- 卓越的 dv/dt 能力
- 低栅极电荷
- 100% 经过雪崩测试
应用领域
- 开关应用
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