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STP17NF25
1个N沟道 耐压:250V 电流:17A
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- 描述
- 这些功率MOSFET采用）独特的STripFET工艺开发而成，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得这些器件适合用作电信和计算机应用以及低栅极电荷驱动要求应用的先进高效隔离式DC-DC转换器中的初级开关。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP17NF25
- 商品编号
- C495256
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V,8.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些功率MOSFET采用独特的STripFET工艺开发，该工艺专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得这些器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的主开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
应用领域
- 开关应用
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