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STP13N60DM2
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
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描述
N沟道600 V、0.310 Ohm典型值、11 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STP13N60DM2商品编号
C495246商品封装
TO-220包装方式
盒装
商品毛重
2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 310mΩ@10V,5.5A | |
| 功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@0~10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 730pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 0.9pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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