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STD5N52U
1个N沟道 耐压:525V 电流:4.4A
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- 描述
- 这些器件是采用UltraFASTmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET，该技术将低导通电阻、齐纳栅极保护和极高的dv/dt能力的优势与增强型快速体-漏极恢复二极管相结合。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD5N52U
- 商品编号
- C495237
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.469克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 525V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,2.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 529pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13.4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些器件为采用UltraFASTmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET，该技术将降低导通电阻、齐纳栅极保护和极高的dv/dt能力的优势与增强型快速体-漏恢复二极管相结合。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 极低的RDS(on)
- 极短的反向恢复时间trr
应用领域
- 开关应用