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STD12N60DM2AG
1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
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- 描述
- 汽车级N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD12N60DM2AG
- 商品编号
- C495234
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.531克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 614pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具有极低的恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间 (trr)，同时导通电阻 RDS(on) 较低，适用于要求严苛的高效转换器，是桥式拓扑和零电压开关 (ZVS) 移相转换器的理想选择。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用