温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
15N10-TD
100V N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压100V，最大连续电流15A，专为高效电源转换、电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能和低损耗功率管理方案。
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 15N10-TD
- 商品编号
- C47637380
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44484克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 827.61pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38.73pF |
商品概述
15N10-TD采用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供出色的导通电阻RDS(ON),可广泛应用于各类场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 15A
- 栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 95mΩ(典型值:86mΩ)
- 栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 110mΩ(典型值:90mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装设计,散热性能良好
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源