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15N10-TD
100V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压100V，最大连续电流15A，专为高效电源转换、电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能和低损耗功率管理方案。
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 15N10-TD
- 商品编号
- C47637380
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44484克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 827.61pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38.73pF |
商品概述
该器件采用先进的沟槽技术设计，提供优异的低导通电阻 RDS(ON) 和低栅极电荷。它适用于多种应用。
商品特性
- VDS = 100V, ID = 15A
- RDS(ON) < 95 mΩ @ VGS = 10V (典型值: 86 mΩ)
- RDS(ON) < 110 mΩ @ VGS = 4.5V (典型值: 90 mΩ)
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性表征
- 封装优良，散热性能好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源