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APM4953-TD
-30V P+P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 适用于高效率电源转换和负载开关应用，紧凑结构与强大性能结合，提供卓越的双通道功率控制解决方案。
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- APM4953-TD
- 商品编号
- C47637388
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.195133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
APM4953-TD是高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。该器件符合RoHS标准和产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30V,漏极电流(ID) = -6.5A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < -45mΩ
- 当栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < -65mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源