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AO4409-TD
30V P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 适用于电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换。
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- AO4409-TD
- 商品编号
- C47637385
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.203433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V；9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
商品概述
AO4409-TD是一款单P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，具备优异的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻特性。其高达-30V的工作电压非常适用于开关模式电源、SMPS、笔记本电脑电源管理以及其他电池供电电路。
商品特性
- 导通电阻小于7.5 mΩ（在VGS=10V条件下，P沟道）
- 导通电阻小于13 mΩ（在VGS=4.5V条件下，P沟道）
- 采用超高密度元胞设计，实现极低的导通电阻
- 具有卓越的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 开关电源
- SMPS
- 电池供电系统
- DC/DC转换器
- DC/AC转换器
- 负载开关