温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4882-TD
N沟道和N-沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高效电源转换设计。额定电压40V，连续电流高达8A，适合充电器、电源控制等应用。集成双N沟道结构，提供卓越的开关性能与低导通电阻，是您电子设备的理想选择。品质可靠，适用于各类中低压电路的功率转换需求。
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- AO4882-TD
- 商品编号
- C47637387
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V；25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
商品概述
AO4882-TD 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 AO4882-TD 符合 RoHS 标准,属于绿色环保产品。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐