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AO4485-TD
-40V P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑SOP-8封装，额定电压40V，具备13A强大连续电流处理能力。专为高功率应用设计，具有低导通电阻和优异开关性能，广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- AO4485-TD
- 商品编号
- C47637386
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.182233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V；20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 222pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 323pF |
商品概述
JCW015EPC采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并支持低至4.5V的栅极电压工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -40V,漏极电流(ID) = -12A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 15mΩ
- 当栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 20mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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