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50N06-TD
N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20.0A 功率(Pd)：33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10.0V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 50N06-TD
- 商品编号
- C47637383
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44432克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
50N06-TD是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 50N06-TD符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 100%雪崩能量耐量(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 半桥和逆变器中的电源管理
- 负载开关
- DC-DC转换器