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20N03-TD
N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 具有高耐压、大电流、低导通电阻特点，广泛应用于电源管理、电机驱动及汽车电子领域。
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 20N03-TD
- 商品编号
- C47637381
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46292克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
20N03-TD采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V\quad ID = 20A
- RDS(ON) < 20 m Ω @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源