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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BRCS080N03DSC

采用SOP-8塑料封装的双N沟道MOSFET

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描述
类型: 2个P沟道,漏源电压(Vdss): 30V,连续漏极电流(Id): 16A,导通电阻(RDS(on)): 12mΩ@4.5V
商品型号
BRCS080N03DSC
商品编号
C46962468
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.128克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
输入电容(Ciss)1.17nF
反向传输电容(Crss)100pF
类型N沟道
输出电容(Coss)110pF

商品概述

SOP - 8塑封封装双N沟道MOS场效应管。 双N沟道MOSFET,采用SOP - 8塑料封装。

商品特性

  • 漏源电压VDS(V) = 30 V,漏极电流ID = 16 A
  • 栅源电压为10 V时的导通电阻RDS(ON)< 8 mΩ(典型值7.6 mΩ)
  • 栅源电压为4.5 V时的导通电阻RDS(ON)< 12 mΩ(典型值10.8 mΩ)
  • 无卤产品。

应用领域

-用于移动主板/笔记本电脑/超便携个人电脑/视频图形阵列的高频负载点同步降压转换器-联网DC-DC电力系统-负荷开关-用于移动主板/笔记本电脑/超便携个人电脑/视频图形阵列的高频负载点同步降压转换器-联网DC-DC电力系统-负荷开关

数据手册PDF