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BRCS800P06SC
P沟道 耐压:60V 电流:6A
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- 描述
- 类型: 1个P沟道，漏源电压(Vdss): 60V，连续漏极电流(Id): 6A，导通电阻(RDS(on)): 120mΩ@4.5V
- 品牌名称
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- 商品型号
- BRCS800P06SC
- 商品编号
- C46962467
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 61mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
SOP-8 塑封封装 P 沟道场效应管。 SOP-8 塑料封装的 P 沟道 MOSFET。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -60 V
- 漏极电流(ID) = -6A(栅源电压 VGS = ±20V)
- 栅源电压为 -10V 时的导通电阻 RDS(ON) ≤ 80mΩ(典型值 61mΩ)
- 栅源电压为 -4.5V 时的导通电阻 RDS(ON) ≤ 120mΩ(典型值 77mΩ)
- 无卤产品。
应用领域
- 该器件适合用作负载开关或用于 PWM 应用。
- 该器件适合用作负载开关或用于 PWM 应用。