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BRCS200P03DSC
P沟道 耐压:30V 电流:7.1A
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- 描述
- 类型: 2个P沟道，漏源电压(Vdss): 30V，连续漏极电流(Id): 7.1A，导通电阻(RDS(on)): 35mΩ@4.5V
- 品牌名称
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- 商品型号
- BRCS200P03DSC
- 商品编号
- C46962466
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V；20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.43nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 580pF |
商品概述
SOP-8 塑封双 P 沟道 MOSFET。
商品特性
- 双 P 沟道
- 漏源电压(V) = -30 V
- 漏极电流 = -7.1A
- 导通电阻 < 22 mΩ(栅源电压 = -10V)
- 导通电阻 < 35 mΩ(栅源电压 = -4.5V)
- 无卤产品
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理