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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 下降时间(tf) | 32ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
PT5607是一款高速高压（600V）驱动器，用于在半桥系统中控制MOS晶体管或IGBT等功率器件，其高侧和低侧输出通道相互关联。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。该器件包含一个具有迟滞特性的欠压检测单元，当栅极电压裕量不足时，可防止功率器件产生大量传导损耗。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于在高达600V的高侧配置中驱动N沟道功率MOSFET或IGBT。它在引脚和输入极性上与IR2101兼容。
商品特性
- 驱动两个IGBT/MOSFET功率器件
- 高侧通道可在高达+600V的电压下完全工作
- 每个通道的栅极驱动电源为10V至20V
- 欠压锁定
- 先进的输入滤波器
- 内置死区时间保护：0.5μs
- |O+/-|：290/620mA，大源电流可绕过米勒效应
- 直通（交叉导通）保护
- 3.3V/5V/15V输入逻辑兼容
- 所有通道的传播延迟匹配
- 死区时间匹配
- 高侧输出与HIN输入同相
- 低侧输出与LIN输入同相
- 耐受负瞬态电压，dv/dt抗扰度高达50V/ns
- 低di/dt栅极驱动，具有更好的抗噪性
- 工作温度范围为-40℃至125℃
- 提供SOP8L封装
- 无铅
应用领域
- 家电电机驱动 - 空调、洗衣机、冰箱、洗碗机、风扇
- 通用逆变器
- 电动自行车、电动工具
- 照明、开关电源