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PT5618
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 三相；半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 灌电流(IOL) | 620mA | |
| 拉电流(IOH) | 320mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 60ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 33ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 330uA | |
| 功能特性 | 使能关断；交错导通保护；死区时间控制 |
商品特性
- 同一颗芯片中同时集成三个200V半桥栅极驱动器，适合三相电机应用中高速功率MOSFET和IGBT的栅极驱动
- 内置死区时间和上下管直通保护，阻止半桥电路损坏
- 内部集成欠压锁定电路，防止因低电源电压对功率管产生损害
- 先进的高压BCD制程和内置共模噪声消除技术，使高边驱动器在高dv/dt噪声环境稳定工作，具有宽范围的负瞬态电压忍受能力
- 可通过对EN引脚的控制使芯片进入低消耗电流的待机模式
- 6个输入施密特反相器阈值最低可兼容3.3V的LSTTL和CMOS逻辑电平
- 内置施密特反相器和先进脉冲滤波器，屏蔽非正常输入短脉冲信号，提升系统抗干扰免疫力和可靠性
- 每个逻辑输入端内部预置100kΩ下拉电阻，保证异常情况下提供关断功率管控制讯号
- 低边和高边驱动器以电压脉冲输出，适合功率MOSFET和IGBT的驱动
- 高边电源VBS欠压锁定解锁后，需新的高边逻辑输入上升沿激发高边输出驱动器
- 低边在VCC电源欠压锁定解锁后，直接输出与低边输入信号对应状态
- EN逻辑输入电平兼容3.3V/5V逻辑电平
- EN脚到地COM之间配置100KΩ下拉电阻降低输入偏置电流
应用领域
- 电动车，电动工具应用中三相马达驱动
- 其他电池供电产品中马达驱动
- 110V电网家电马达驱动