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PT5618
商品参数
参数完善中
商品特性
- 同一颗芯片中同时集成三个200V半桥栅极驱动器，适合三相电机应用中高速功率MOSFET和IGBT的栅极驱动
- 内置死区时间和上下管直通保护，阻止半桥电路损坏
- 内部集成欠压锁定电路，防止因低电源电压对功率管产生损害
- 先进的高压BCD制程和内置共模噪声消除技术，使高边驱动器在高dv/dt噪声环境稳定工作，具有宽范围的负瞬态电压忍受能力
- 可通过对EN引脚的控制使芯片进入低消耗电流的待机模式
- 6个输入施密特反相器阈值最低可兼容3.3V的LSTTL和CMOS逻辑电平
- 内置施密特反相器和先进脉冲滤波器，屏蔽非正常输入短脉冲信号，提升系统抗干扰免疫力和可靠性
- 每个逻辑输入端内部预置100kΩ下拉电阻，保证异常情况下提供关断功率管控制讯号
- 低边和高边驱动器以电压脉冲输出，适合功率MOSFET和IGBT的驱动
- 高边电源VBS欠压锁定解锁后，需新的高边逻辑输入上升沿激发高边输出驱动器
- 低边在VCC电源欠压锁定解锁后，直接输出与低边输入信号对应状态
- EN逻辑输入电平兼容3.3V/5V逻辑电平
- EN脚到地COM之间配置100KΩ下拉电阻降低输入偏置电流
应用领域
- 电动车，电动工具应用中三相马达驱动
- 其他电池供电产品中马达驱动
- 110V电网家电马达驱动