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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 全桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 5.5V~18V | |
| 下降时间(tf) | 25ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
PT5620 是一款高速100V 单相栅极驱动器，适用于功率MOSFET 和IGBT 器件，具有独立的高边和低边参考输出通道。 内置可调死区时间保护可防止损坏半桥。 当VCC 和VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路可防止发生故障。 一种新颖的高压BCD 工艺和共模噪声消除技术可在高dV / dt 噪声条件下稳定运行高边驱动器，同时实现出色的负瞬态电压容差。 包括使能引脚（EN），以便可以使用待机模式将芯片设置为低静态电流状态，以实现长电池寿命。
商品特性
- 集成100V 半桥高侧驱动器
- 内置死区时间保护
- VCC 和VBS 的欠压锁定
- VCC 和VBS 的低工作电压5.5V
- 3.3V 和5V 输入逻辑兼容
- 使能引脚（EN）以实现低待机电流
- 驱动器汲出/汲入电流: 1500mA/2500mA，VBS = 15V
- 可透过RDT 引脚来调整死区时间
- 共模dV / dt 噪声消除电路
- 容忍负瞬态电压
- -40°C 至125°C 的工作范围
- 小尺寸封装：MSOP10L、DFN8(3X3)、DFN10(3X3)
应用领域
- 无线充电半桥/全桥转换器
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