VBE1203M
1个N沟道 耐压:200V 电流:10A
- SMT扩展库
- PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。TO252；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE1203M
- 商品编号
- C480948
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 245mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
1+￥1.989￥2.34
10+￥1.938￥2.28
30+￥1.9125￥2.25
100+￥1.8785￥2.21￥5525
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
35
江苏仓
0
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
精选推荐
![WZ-100[800G]0.8mm](https://alimg.szlcsc.com/upload/public/product/breviary/20230204/F5C23B64924F8AED3185B6C36DF2894A.jpg)
客服
芯媒体
反馈
收起