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VBE16R02
1个N沟道 耐压:600V 电流:1.3A
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,600V；2A；RDS(ON)=4400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE16R02
- 商品编号
- C480952
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4Ω@10V,1.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
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