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VBFB1615
1个N沟道 耐压:60V 电流:55A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO251；N—Channel沟道,60V；55A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBFB1615
- 商品编号
- C480969
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.577克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.65nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 325pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单