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VBFB2102M
1个P沟道 耐压:100V 电流:12A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench技术，适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电路保护、电动工具、LED驱动和汽车电子等，为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。TO251；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=215mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBFB2102M
- 商品编号
- C480972
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.637克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 215mΩ@10V,3.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.055nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
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