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VBL165R18
1个N沟道 耐压:650V 电流:16A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Plannar技术制造，适用于各种高压应用场景。TO263；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL165R18
- 商品编号
- C480991
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此制成的器件具有极低的导通电阻，特别适用于要求高功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 降低反向恢复时间 trr、反向恢复电荷 Qrr 和反向恢复峰值电流 IRRM
- 低品质因数 (FOM) R\text on x Q\text g
- 低输入电容 \left(Ciss\right)
- 因 Qrr 降低而实现低开关损耗
- 超低栅极电荷 \left(Qg\right)
- 雪崩能量额定 (UIS)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
- 电信
- 服务器和电信电源
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 消费电子和计算机
- ATX 电源
- 工业领域
- 焊接
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能(光伏逆变器)
- 开关电源 (SMPS)