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VBM1208N
1个N沟道 耐压:200V 电流:40A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于适用于电源模块、电机驱动模块和充放电模块等领域。TO220；N—Channel沟道,200V；35A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1208N
- 商品编号
- C481007
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.69nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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