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VBMB1104N
1个N沟道 耐压:100V 电流:18A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB1104N
- 商品编号
- C481028
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175 °C结温
- 低热阻封装
- 100%栅极电阻测试
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器