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VBMB1208N
1个N沟道 耐压:200V 电流:14A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型沟道MOSFE，采用Trench工艺，适用于电源模块、汽车电子模块、太阳能逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；20A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB1208N
- 商品编号
- C481030
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 表面贴装
- 薄型通孔封装
- 提供卷带包装
- 动态 dV/dt 额定值
- 工作温度达 150 °C
- 快速开关
- 完全雪崩额定
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC