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VBMB165R18
1个N沟道 耐压:650V 电流:16A
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- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB165R18
- 商品编号
- C481038
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器以及电池充电器的整体效率而设计。与其他具有类似漏源导通电阻（RDS(ON)）规格的MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。其结果是，这种MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能使DC/DC电源设计实现更高的整体效率。
商品特性
- -13 A，-30 V。在栅源电压（VGS） = -10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 9 mΩ
- 在栅源电压（VGS） = -4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 13 mΩ
- 适用于电池应用的扩展栅源电压（VGS）范围（±25 V）
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 具备高功率和高电流处理能力