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VBQA2309
1个P沟道 耐压:30V 电流:47.3A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench技术，适合在有限空间内应用。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA2309
- 商品编号
- C481053
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.62nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 820pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh™ DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具备极低的恢复电荷（Qrr）和恢复时间（trr），同时导通电阻（RDS(on)）也很低，适用于对效率要求极高的转换器，尤其适合桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 专为汽车应用设计，符合 AEC-Q101 标准
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 经过 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 抗扰度
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用