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VBQF1306
1个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型Trench技术的MOSFET，可用于设计各种电源管理模块。QFN8(3X3)；N—Channel沟道,30V；40A；RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF1306
- 商品编号
- C481055
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.545nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
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