VBQA1638
1个N沟道 耐压:60V 电流:15A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于便携式设备、消费电子、医疗设备等领域。QFN8(5X6);N—Channel沟道,60V;15A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.8V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBQA1638商品编号
C481051商品封装
QFN-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
2.04克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 15A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 24mΩ@10V,10A | |
功率(Pd) | 3.6W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.8V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.2nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 790pF@30V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 17pF@30V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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