VBM2309
1个P沟道 耐压:30V 电流:60.5A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款功率MOSFET,采用了Trench技术,具有优良的性能和稳定性。适用于各种功率电路和模块,能够在高压和高电流下稳定工作。TO220;P—Channel沟道,-30V;-70A;RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBM2309商品编号
C481025商品封装
ITO-220AB-3包装方式
管装
商品毛重
2.71克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 60.5A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.2mΩ@10V,60A | |
功率(Pd) | 5W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
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