温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

VBM15R13

1个N沟道耐压:500V 电流:8.1A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单N结构的功率MOSFET，采用Plannar技术，适用于电源模块、家用电器、照明控制器等领域。TO220；N—Channel沟道,500V；13A；RDS(ON)=660mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: VBM15R13
商品编号: C481014
商品封装: ITO-220AB-3
包装方式: 管装
商品毛重: 2.78克(g)

商品参数

商品概述

这款N沟道逻辑电平MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。与具有类似漏源导通电阻（RDS(on)）规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），同时能够提高DC/DC电源设计的整体效率。

商品特性

较低的栅极电荷Qg,简化驱动要求
改善栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
全面表征电容和雪崩电压
符合RoHS指令2002/95/EC

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	8.1A
	导通电阻(RDS(on))	660mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	250W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	81nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.91nF
	反向传输电容(Crss)	11pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	290pF