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VBM1615

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:60V 电流:60A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,采用Trench工艺,适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220;N—Channel沟道,60V;60A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

  • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
  • 商品型号

    VBM1615
  • 商品编号

    C481017
  • 商品封装

    ITO-220AB-3
  • 包装方式

    管装

  • 商品毛重

    2.67克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11mΩ@10V,20A
功率(Pd)136W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)47nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)4.2nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)325pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

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