VBM1615
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,采用Trench工艺,适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220;N—Channel沟道,60V;60A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBM1615商品编号
C481017商品封装
ITO-220AB-3包装方式
管装
商品毛重
2.67克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V,20A | |
功率(Pd) | 136W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 47nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 4.2nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 325pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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