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VBM165R18
1个N沟道 耐压:650V 电流:16A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术制造，适用于工业电源模块、电动汽车充电器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM165R18
- 商品编号
- C481021
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.826nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 456pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单