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VBM165R10
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，适用于各种要求高功率开关和电源管理的场合。TO220；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=840mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM165R10
- 商品编号
- C481019
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 840mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 106W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 18.5 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 4.5 mΩ
- 在栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 16 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 6.0 mΩ
- 典型人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护等级为5.6 KV
- 高性能沟槽技术，可实现极低的漏源导通电阻（rDS(on)）
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源管理-笔记本电脑中的负载开关应用-便携式电池组中的负载开关应用